定向自组装光刻方法
公开
摘要
本发明涉及定向自组装光刻方法，所述方法包括将嵌段共聚物膜沉积在相对于嵌段共聚物而言中性的层(20)上的步骤，所述嵌段共聚物膜意图用作光刻掩模，所述方法的特征在于其包括以下步骤：‑将中性层(20)沉积在衬底(10)的表面上，所述中性层(20)为碳质或氟‑碳质层且被沉积至厚度大于嵌段共聚物膜(40)的厚度的1.5倍，‑使中性层交联，‑将包括至少一个甲硅烷基化嵌段的嵌段共聚物膜沉积在交联的中性层(30)上，‑使堆叠体经历组装温度以将嵌段共聚物纳米结构化，‑从纳米结构化的嵌段共聚物膜(40)移除(G1)纳米畴(41，42)的至少一个，以形成意图通过蚀刻(G2、G3、G4)转印到衬底(10)的厚度中的图案。
基本信息
专利标题 ：
定向自组装光刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600044A
申请号 ：
CN202080072309.5
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
X.谢瓦利尔M.塞雷格C.戈麦斯科雷亚M.泽尔斯曼G.弗勒里
申请人 ：
阿科玛法国公司;国家科学研究中心;波尔多大学;波尔多理工学院;格勒诺布尔阿尔卑斯大学
申请人地址 ：
法国科隆布
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
肖靖泉
优先权 ：
CN202080072309.5
主分类号 ：
G03F7/00
IPC分类号 ：
G03F7/00 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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