半导体架构及其制造方法
公开
摘要
提供了一种半导体架构及其制造方法。该半导体架构包括：载体衬底；包括在载体衬底中的落着垫；提供在载体衬底的第一表面上的第一半导体器件，第一半导体器件包括提供在落着垫上的第一组件；提供在载体衬底的第二表面上的第二半导体器件；以及第二组件，从第二半导体器件突出并提供在落着垫上。
基本信息
专利标题 ：
半导体架构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496954A
申请号 ：
CN202110659197.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-06-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S.朴孙吉焕徐训硕任廷爀金基一
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
屈玉华
优先权 ：
CN202110659197.X
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/528 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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