用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理
实质审查的生效
摘要
本申请涉及用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理。本文公开了可以改进光刻分辨率的含金属的抗蚀剂层(例如，金属氧化物抗蚀剂层)、用于形成含金属的抗蚀剂层的方法以及使用含金属的抗蚀剂层的光刻方法。示例性方法包括：通过执行沉积工艺在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层，以在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层的金属氧化物抗蚀剂子层；以及对至少一个金属氧化物抗蚀剂子层执行致密化工艺。每个沉积工艺形成金属氧化物抗蚀剂子层中的相应一个。致密化工艺使至少一个金属氧化物抗蚀剂子层的密度增加。可以调整沉积工艺的参数和/或致密化工艺的参数，以实现不同的密度分布、不同的密度特性、和/或不同的吸收特性，从而优化对金属氧化物抗蚀剂层的图案化。
基本信息
专利标题 ：
用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334620A
申请号 ：
CN202110659598.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-06-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭怡辰刘之诚陈彦儒李志鸿杨棋铭李资良
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
朱亦林
优先权 ：
CN202110659598.5
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20210615
申请日 : 20210615
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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