晶片级测试方法及装置
实质审查的生效
摘要
本发明实施例涉及晶片级测试方法及装置。本发明实施例提供一种用于测试半导体装置的方法及系统。所述方法包含：提供具有输入端子及输出端子的受测试装置DUT；在第一周期期间将具有第一电压电平的电压施加到所述DUT的所述输入端子；在所述第一周期之后的第二周期期间将应力信号施加到所述DUT的所述输入端子；响应于所述DUT的所述输出端子处的所述应力信号获得输出信号；及将所述输出信号与所述应力信号进行比较。所述应力信号包含多个序列，每一序列具有斜升阶段及斜降阶段。所述应力信号具有第二电压电平及第三电压电平。
基本信息
专利标题 ：
晶片级测试方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373691A
申请号 ：
CN202110710654.3
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-06-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何军林裕庭林威勋郭永良卢胤龙
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李春秀
优先权 ：
CN202110710654.3
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210625
申请日 : 20210625
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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