一种基于氮化镓功率半导体器件的快充插座
授权
摘要

本发明公开的属于快充插座技术领域,具体为一种基于氮化镓功率半导体器件的快充插座,包括电路板和插座面板,所述电路板上设有焊盘,所述电路板上开设有第一通孔,所述第一通孔内设有焊带,所述第一通孔内壁插接散热杆,所述焊带一端固定连接所述散热杆,所述焊带另一端固定连接所述焊盘,本发明的有益效果是:通过设置散热杆,并通过焊带将电路板上的焊盘和散热杆进行连接,从而使得散热杆有效地对电路板进行散热,避免了电路板的温度过高;并通过设置扇叶,利用扇叶产生的风将热量带走,进一步强化散热效果,通过设置上滑动封板和下滑动封板,可以对插座面板进行封堵,避免在不使用时插座面板裸露在外,增强安全性。

基本信息
专利标题 :
一种基于氮化镓功率半导体器件的快充插座
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113488808A
申请号 :
CN202110775591.X
公开(公告)日 :
2021-10-08
申请日 :
2021-07-08
授权号 :
CN113488808B
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
邓兆华鲍怀松
申请人 :
深圳昊达智能科技股份有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市南山区高新南一道008号创维大厦A座803A室
代理机构 :
深圳市汇信知识产权代理有限公司
代理人 :
赵英杰
优先权 :
CN202110775591.X
主分类号 :
H01R13/627
IPC分类号 :
H01R13/627  H01R13/66  H01R27/00  H05K7/20  H01R13/52  
法律状态
2022-06-10 :
授权
2021-10-26 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01R 13/627
申请日 : 20210708
2021-10-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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