三维半导体二极体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及三维半导体二极体装置的制造方法。该方法包括：提供基板，基板包括硅基板及第一氧化层，第一氧化层位于硅基板上。沉积多个堆叠层于基板之上，每一个堆叠层包括介电层及导体层。通过图案化的光阻层蚀刻堆叠层，以在堆叠层形成至少一个沟槽，沟槽的底部暴露第一氧化层。沉积第二氧化层于堆叠层及沟槽上。沉积高电阻层于第二氧化层上，高电阻层包括第一多晶硅层及第一导电化合物层。沉积低电阻层于高电阻层上，低电阻层包括第二多晶硅层及第二导电化合物层，其中第二多晶硅层的厚度大于第一多晶硅层，第二导电化合物层的厚度大于第一导电化合物层。
基本信息
专利标题 ：
三维半导体二极体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446783A
申请号 ：
CN202111146530.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜聪富张光瑞蔡群贤李庭鹃蔡群荣
申请人 ：
台湾奈米碳素股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区苗栗县竹南镇科研路50-1号5楼
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杜兆东
优先权 ：
CN202111146530.3
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20210928
申请日 : 20210928
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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