半导体存储装置和包括其的电子系统
公开
摘要
提供了半导体存储装置和包括其的电子系统。所述半导体存储装置包括：第一半导体芯片，包括上输入/输出焊盘；第二半导体芯片，包括下输入/输出焊盘；以及衬底附接膜，附接第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片和第二半导体芯片均包括：第一衬底，包括面对衬底附接膜的第一面以及第二面；模制结构，包括栅电极；沟道结构，穿透模制结构并与栅电极相交；第二衬底，包括面对第一面的第三面以及第四面；第一电路元件，位于第二衬底的第三面上；以及接触通路，穿透第一衬底并连接到第一电路元件。上输入/输出焊盘和下输入/输出焊盘分别位于第一半导体芯片和第二半导体芯片的第二面上，并接触第一半导体芯片和第二半导体芯片的接触通路。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储装置和包括其的电子系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373490A
申请号 ：
CN202111171793.X
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安在昊金智源黄盛珉任峻成成锡江
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111171793.X
主分类号 ：
G11C7/18
IPC分类号 ：
G11C7/18 G11C7/22 G11C8/08 G11C8/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
G11C7/18
位线组织；位线布局
法律状态
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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