半导体器件、制造其的方法和包括其的电子系统
公开
摘要
提供了一种半导体器件、一种制造其的方法和一种包括其的电子系统。所述半导体器件包括：基底，包括单元阵列区域和键区域；堆叠结构，位于单元阵列区域上且包括竖直地堆叠的电极；虚设结构，位于键区域上；垂直沟道结构，穿透堆叠结构以连接基底；虚设柱，穿透第一虚设结构；层间电介质层，位于堆叠结构和虚设结构上，其中，位于虚设结构上的层间电介质层的上部包括与虚设柱竖直地叠置的键图案；以及覆盖层，位于键区域上并覆盖键图案。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、制造其的方法和包括其的电子系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613780A
申请号 ：
CN202111383294.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄昌善金己焕闵忠基
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘灿强
优先权 ：
CN202111383294.7
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/11568 H01L27/11573
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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