一种抛光垫及半导体器件的制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种抛光垫及半导体器件的制造方法，其中，所述抛光垫在施加压力F0后的应力松弛阶段t时刻的回复力Ft与施加压力F0的比值与t满足如下式（1）中的拟合关系，其中，回复力Ft的取值频率为0.01s/次，0≤t≤30 s，所述a、b为常数，且满足：0.95≤a≤0.99和/或0.02≤b≤0.04，拟合优度R2≥0.94，满足上述拟合关系的抛光垫，去除速率曲线及边缘去除速率在抛光垫的整个生命周期内均保持稳定，波动较小，研磨速率不均一性NU值波动较小。f(t)=Ft/F0=a·t‑b （1）。
基本信息
专利标题 ：
一种抛光垫及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114227530A
申请号 ：
CN202111506054.1
公开（公告）日 ：
2022-03-25
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
CN114227530B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
罗乙杰张季平高越刘敏
申请人 ：
湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市经济技术开发区东荆河路1号411号房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111506054.1
主分类号 ：
B24B37/22
IPC分类号 ：
B24B37/22 B24B37/24 B24B37/26 B24B37/005 B24B49/00 H01L21/3105
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/11
研具
B24B37/20
用于加工平面的研磨垫
B24B37/22
以多层结构为特征
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2022-04-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 37/22
申请日 : 20211210
申请日 : 20211210
2022-03-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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