一种光电探测器芯片及其制备方法与应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种光电探测器芯片及其制备方法与应用。所述光电探测器芯片，包括依次层叠设置的底电极、第一GaN层、i‑InyGa1‑yN功能层、第二GaN层、i‑InxGa1‑xN功能层、第三GaN层和顶电极；其中，0≤x≤1，y＞x；所述第一GaN层、所述第二GaN层、所述第三GaN层分别为n‑GaN层、p‑GaN层、n‑GaN层。所述光电探测器芯片为垂直结构双波段芯片，其中，垂直结构相较于横向结构能缩短载流子渡越距离，提高探测器的响应速度，能够有效提高探测器‑3dB带宽。双波段使得在所述光电探测器芯片上负载不同方向的电压，就可以实现不同波段的光电探测。
基本信息
专利标题 ：
一种光电探测器芯片及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373814A
申请号 ：
CN202111523820.5
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李国强柴吉星王文樑陈亮
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
薛建强
优先权 ：
CN202111523820.5
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/101 H01L31/105 H01L31/11 H01L31/18
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0352
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
