提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法，属于发光二极管制作领域。第一应变调节层包括依次层叠的第一调节子层与第二调节子层，第一调节子层中Al组分由0.7～1降低至0.05～0.2，第二调节子层中Al组分不变，且第二调节子层中Al组分与第一调节子层靠近第二调节子层的表面的Al组分相同，第一调节子层的厚度为第二调节子层的厚度的1～3倍。抵消部分热应力，提供张应力。第二应变调节层上中n型GaN调节子层与n型InGaN过渡到InGaN/GaN多量子阱层，In的分布更均匀，In在不同位置析出的情况也少，可以有效提高最终得到的发光二极管的出光均匀度。
基本信息
专利标题 ：
提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447170A
申请号 ：
CN202111574240.9
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王群龚逸品陶羽宇茅艳琳李鹏王江波
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202111574240.9
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/06 H01L33/00
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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