一种参数异常检测方法和半导体工艺设备

实质审查的生效

摘要

本发明实施例提供了一种参数异常检测方法和半导体工艺设备，该半导体工艺设备的工艺过程包括多个依次进行的工艺步骤，该参数异常检测方法包括：采集工艺步骤中，目标参数在各预设时间点的实际参数值；将目标参数的实际参数值离散到预先获取的参数关系图中，在目标参数随预设时间精度变化的在预设时间点的实际参数值与参数关系图中所对应的预设时间点的正常参数值满足预设异常条件的情况下，确定工艺步骤中的目标参数异常，参数关系图为工艺步骤中目标参数的正常参数值随各预设时间点变化的关系图；根据与预设异常条件对应的调整方案调整工艺进程；输出与预设异常条件对应的提示信息。采用本发明的参数异常检测方法，可以提升参数异常检测效率。

基本信息

专利标题：

一种参数异常检测方法和半导体工艺设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114420586A

申请号：

CN202111583182.6

公开（公告）日：

2022-04-29

申请日：

2021-12-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杨浩王馨梦任志豪申震

申请人：

西安北方华创微电子装备有限公司;北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

陕西省西安市高新区锦业一路11号国家服务外包示范基地D座4层

代理机构：

北京润泽恒知识产权代理有限公司

代理人：

苏培华

优先权：

CN202111583182.6

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-05-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211222

2022-04-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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