LED的制备方法及LED外延片
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种LED的制备方法，包括：在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱结构、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层后，经过第一退火、第二退火处理后，得到第二样品；光刻第二样品的表面后，刻蚀至n型GaN层形成台面，得到第三样品；光刻第三样品的PN电极后，蒸镀第一金属层和第二金属层，剥离多余的金属层后进行第三退火处理，得到第四样品，在第四样品的表面蒸镀SiO2层后，光刻SiO2层，得到LED外延片。本公开通过激光退火处理技术，增大LED结构中的p型GaN层的空穴浓度，提高空穴的注入效率，导致量子阱结构中电子空穴对的辐射复合增大，从而提高LED的光输出功率。
基本信息
专利标题 ：
LED的制备方法及LED外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284403A
申请号 ：
CN202111625701.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王军喜王新维张宁魏学成
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
樊晓
优先权 ：
CN202111625701.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/06
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
