本发明公开了一种无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法，制备好pn结的铟镓砷盖革模式焦平面光敏阵列芯片通过金金键合与具有微透镜阵列的支撑片键合，铟镓砷盖革模式焦平面芯片p型面为公共电极，n型面电极独立且与读出电路芯片通过铟柱倒装实现互连；芯片入射光子从具有微透镜阵列的支撑片进入，通过微透镜将入射光子汇聚入铟镓砷盖革模式焦平面每个独立光敏探测区的p区，产生的脉冲信号经与n型面互连的读出电路处理后，实现单光子测距、激光三维成像。本发明可实现无串扰且可与硅基盖革模式焦平面探测器共用同类读出电路的InGaAs盖革模式焦平面光敏阵列的制作。