本发明公开了一种抛光垫及半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括使用具有特定图案的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；所述抛光垫包括抛光层，所述抛光层包含有中心区域，环状沟槽区域以及外部区域，其中，中心区域未设置有沟槽，外部区域中包含有多条贯通沟槽，贯通沟槽用于环状沟槽区域与抛光垫外边缘的联通，进一步的相邻的两条贯通沟槽之间为抛光单元，抛光单元中包含有多条非贯通沟槽，本发明通过限定贯通沟槽的条数，抛光单元的个数，贯通沟槽的形状，非贯通沟槽的长度及条数，以及沟槽面积与抛光垫面积的比值等参数在合适的范围内，抛光垫具有优异的综合性能。