一种半导体器件的压力测试设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体器件的压力测试设备，其传输区域设置有托载待测试的半导体器件的托盘和传输机械手，测试区域设置有测试工位、测试气囊、缓冲气囊、气压管路组件和测试机械手，传输机械手将半导体器件从托盘转移到交界区域，测试机械手将半导体器件从交界区域转移到测试工位；测试气囊、缓冲气囊在测试工位处相对设置；气压管路组件包括连接气源的气压阀、第一电子调节阀、第二电子调节阀、第一通气管路和第二通气管路，第一通气管路连通气压阀的出口与测试气囊，第二通气管路连通气压阀与缓冲气囊，且第一电子调节阀/第二电子调节阀分别调节第一通气管路/第二通气管路的气流。本实用新型解决压力测试时缓冲气囊气压的设置问题。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件的压力测试设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122742432.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-10
授权号 ：
CN216594540U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
闵繁瑞郭红伟朱军曾昭孔
申请人 ：
苏州通富超威半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区苏桐路88号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
吴芳
优先权 ：
CN202122742432.8
主分类号 ：
G01N3/10
IPC分类号 ：
G01N3/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N3/00
用机械应力测试固体材料的强度特性
G01N3/08
施加稳定的张力或压力
G01N3/10
由气压或液压产生的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
