一种自平衡吸嘴
授权
摘要
本实用新型公开了一种自平衡吸嘴，包括盖板和吸附板，所述盖板的下端中部开设有密封槽，所述盖板的上端中部开设有穿孔，所述穿孔与密封槽相连通，所述穿孔与密封槽内共同设置有插杆，所述插杆的下端固定连接有球头，所述吸附板位于盖板的下端，所述吸附板的上端中部开设有活动槽和一号导气槽，所述一号导气槽设置有两个且分别位于活动槽的前侧和后侧，且均与活动槽相连通，所述活动槽的槽底面中部开设有连通槽，所述球头活动安装在活动槽内，所述插杆的上端开设有二号导气孔，所述二号导气孔贯穿球头的外圆柱面下部。本实用新型所述的一种自平衡吸嘴，可以保证对芯片的有效吸附抓取，保证抓取效果，同时避免对芯片表面造成损伤。
基本信息
专利标题 ：
一种自平衡吸嘴
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123285553.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
CN216528825U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
雷伟庄
申请人 ：
微见智能封装技术（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南山街道登良社区南光路13号中兴工业城综合楼7层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123285553.0
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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