一种防止铟片溅射的芯片封装结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种防止铟片溅射的芯片封装结构，包括基板、分别固定在基板上的转接板和被动元件、固定在转接板上的芯片、覆盖在芯片上的铟片、以及设置在铟片上的散热片，铟片的周边围设硅胶条，且在硅胶条上设有排气孔，散热片压紧铟片及硅胶条，且散热片边缘固定在基板上。本实用新型在铟片周围设置一圈硅胶条，在封装过程中，即使温度过高造成铟金属的沸腾，硅胶条能够有效进行阻挡，防止铟金属外溢及飞溅，保护周围电容等元器件不被污染失效；同时，在铟金属液态状态下，硅胶条能够防止液态铟金属外流，保证了铟金属的覆盖率及其导热效果；此外，硅胶条上预留排气孔，避免硅胶条整体形成密闭腔体，有效防止增设硅胶条而产生的炸裂现象。
基本信息
专利标题 ：
一种防止铟片溅射的芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123391212.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
CN216528859U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
张国栋潘明东张中龙欣江许连军
申请人 ：
江苏芯德半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区浦口经济开发区林春路8号
代理机构 ：
南京华恒专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
裴素艳
优先权 ：
CN202123391212.1
主分类号 ：
H01L23/16
IPC分类号 ：
H01L23/16 H01L23/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/16
容器中的填充料或辅助构件，例如定心环
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
