一种去除研磨残留物的方法及对准标记的形成方法
实质审查的生效
摘要
本公开的实施例提供一种去除研磨残留物的方法及对准标记的形成方法。所述去除研磨残留物的方法包括：提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；在所述介质层表面形成导电层，所述导电层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；在所述导电层表面形成反应层，所述反应层厚度小于导电层；对所述导电层和所述反应层进行研磨，以便暴露出沟槽区域之外的介质层；对所述介质层和所述沟槽进行清洗，以便去除研磨残留杂质和所述反应层。通过本公开的实施例提供的方法，可以去除研磨残留杂质，保护对准标记的形成，使后续光刻过程的对准精确，不影响半导体的后续制程。
基本信息
专利标题 ：
一种去除研磨残留物的方法及对准标记的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361023A
申请号 ：
CN202210007331.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张超逸吴建荣
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
骆苏华
优先权 ：
CN202210007331.2
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/306 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20220104
申请日 : 20220104
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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