一种集成电路封装模块及其制备方法、光电处理模组
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种集成电路封装模块的制备方法，包括：制备光致有源面上涂覆有第一光刻胶层的PIC芯片；清洗掉第一光刻胶层，并在第一光刻胶层的涂覆区域进行多次涂覆，得到厚度为目标厚度的第二光刻胶层；完成PIC芯片与多个相关芯片中的至少一个相关芯片的互联以及多个相关芯片之间的互联，得到芯片模组；对芯片模组进行塑封，得到第一塑封层，对第一塑封层进行研磨减薄直至露出第二光刻胶层；清洗掉第二光刻胶层，得到用于布设光纤阵列波导器件的预设腔体。还提供一种集成电路封装模块及光电处理模组。全部采用低温封装工艺制程，不会对芯片中的晶体管等电路产生不利影响；能够得到较高洁净度的预设腔体；能够得到结构完整的光致有源面。
基本信息
专利标题 ：
一种集成电路封装模块及其制备方法、光电处理模组
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361047A
申请号 ：
CN202210009632.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴世豪李宗怿郭良奎丁晓春童飞刘籽余
申请人 ：
长电集成电路（绍兴）有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市临江路500号
代理机构 ：
重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓锋
优先权 ：
CN202210009632.9
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L25/18 H01L23/31 G02B6/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20220105
申请日 : 20220105
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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