本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种硅晶圆中高风险硅晶粒的排除方法，其中，包括：获取硅晶圆经过探针台测试后的映射图，其中所述映射图上硅晶圆中的不良品硅晶粒被标注不良标识；根据所述映射图上的每个硅晶粒所在位置的不同进行权重值赋值；根据每个硅晶粒所在位置的权重值以及不良标识所在位置计算每个硅晶粒的权重良率；将每个硅晶粒的权重良率均与权重良率阈值进行比较，并根据比较结果将确定的高风险硅晶粒标注不良标识。本发明提供的硅晶圆中高风险硅晶粒的排除方法可以有效排除位于电性不良品周围的高风险硅晶粒，进而有效提升封装后的产品可靠性，满足客户对于高可靠性产品的需求。