超精节距芯片扇出封装结构及其制作方法
公开
摘要
本发明公开了超精节距芯片扇出封装结构的制作方法，包括：制作晶粒及位于晶粒表面的凸起；将晶粒贴装在临时承载板上；在临时承载板的上表面上形成包覆晶粒和第一侧边导通铜柱层的第一包封层，减薄第一包封层暴露凸起和第一侧边导通铜柱层的端部；在第一包封层的上表面上形成第一导通铜柱层和第一线路层，第一导通铜柱层的第一端部和第一线路层平齐，凸起与第一线路层或第一导通铜柱层连通；形成包覆第一线路层和第一导通铜柱层的第二包封层；形成第二线路层，第二线路层和第一导通铜柱层的第二端部连通，部分凸起与第二线路层通过第一导通铜柱层导通；移除临时承载板；切割成型。还公开了超精节距芯片扇出封装结构。
基本信息
专利标题 ：
超精节距芯片扇出封装结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582743A
申请号 ：
CN202210051245.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈先明冯磊黄本霞黄高徐小伟
申请人 ：
珠海越亚半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房
代理机构 ：
北京风雅颂专利代理有限公司
代理人 ：
李翔
优先权 ：
CN202210051245.1
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/56 H01L23/485
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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