一种提高化学机械研磨效率的方法
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摘要
本发明公开了一种提高化学机械研磨效率的方法，其可降低消耗，同时可减少研磨时间，提高研磨效率，该方法基于化学机械研磨设备实现，向化学机械研磨设备的研磨垫中分步添加研磨液、具有抑制作用的添加剂，通过分步添加的研磨液、研磨液与添加剂的混合液，对待研磨部件的不同介质层进行依次研磨，不同介质层包括至少两层：第一介质层、第二介质层，对待研磨部件进行依次研磨的步骤包括：S1、向研磨垫中添加研磨液，通过研磨液对第一介质层进行研磨，S2、第一介质层研磨完成时，向研磨垫中添加添加剂，使添加剂与研磨液混合，形成混合液，通过混合液对第二介质层进行研磨。
基本信息
专利标题 ：
一种提高化学机械研磨效率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114121647A
申请号 ：
CN202210077158.3
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
CN114121647B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
徐俊杰叶甜春朱纪军罗军李彬鸿赵杰
申请人 ：
澳芯集成电路技术（广东）有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区香雪大道中85号1601-1607房
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
苗雨
优先权 ：
CN202210077158.3
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 C09K3/14 B24B37/005 B24B37/34 B24B57/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3105
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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