本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供的半导体器件的制造方法中，其提出了一种新型的在半导体衬底上的待图形化层上形成多重图形化的方法。具体的，通过利用多层硬掩膜层，然后，利用光刻胶层和多层硬掩膜层逐层刻蚀的方式，在多层硬掩膜层中逐层转移图形的方式，实现将线宽小于光刻机的最小分辨率的所需图形转移到所述待图形化层中，进而可以在现有工艺的基础上，直接制备出更为精细的图案，以实现提高多重图形化工艺的工艺窗口的目的。