一种高可靠的MOSFET功率半导体器件结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开了一种高可靠的MOSFET功率半导体器件结构，将现有MOSFET功率半导体器件结构中呈条状并排的源区和接触区改成沿器件横向延伸方向呈交替分布的N+型和P+型离子注入区域。交替分布的N+型和P+型离子注入区域相互之间形成了电荷平衡，可以有效防止寄生BJT开启，大大降低了雪崩击穿的发生，扩大了器件安全工作区，提高了器件的可靠性。

基本信息

专利标题：

一种高可靠的MOSFET功率半导体器件结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114122113A

申请号：

CN202210097804.2

公开（公告）日：

2022-03-01

申请日：

2022-01-27

授权号：

CN114122113B

授权日：

2022-05-03

发明人：

程晨王彬徐凯吴李瑞张永生

申请人：

江苏游隼微电子有限公司

申请人地址：

江苏省南京市栖霞区麒麟科技创新园启迪大街188号二楼启迪之星南京众创空间G41

代理机构：

南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

吴旭

优先权：

CN202210097804.2

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/78

法律状态

2022-05-27 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/06
登记生效日 : 20220513
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 江苏游隼微电子有限公司
变更后权利人 : 江苏稻源科技集团有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 211135 江苏省南京市栖霞区麒麟科技创新园启迪大街188号二楼启迪之星南京众创空间G41
变更后权利人 : 225000 江苏省扬州市文昌东路88号

2022-05-03 ：

授权

2022-03-18 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220127

2022-03-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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