本发明提供一种基于背偏调制的半导体器件、制备方法及系统，通过具有双绝缘层的基底，可制备具有背偏电极及中间层的半导体器件，且在半导体器件中，中间层位于绝缘层之间，并与背偏电极电连接，从而通过对功率管的静态漏电监测，可确定功率管的散热背偏，并通过背偏电极可调节降低功率管的漏电功耗，减少漏电生热；进一步的P型或N型的中间层，还可作为功率管的热沉，从而实现对功率管的散热；进一步的位于绝缘层之间且独立设置的中间层，还可在背偏调制期间避免对其他元件造成影响，同时还可提供较大的调节范围。因此，本发明可有效解决高密度集成的多功能芯片的散热问题，使得半导体器件中的电路具有较高的热稳定性。