光罩组及晶圆标注方法
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摘要

本发明提供了一种光罩组及晶圆标注方法,该光罩组具有第一光罩和第二光罩,第一光罩具有多个第一晶粒图形区,第一晶粒图形区中设有第一标识,各个第一晶粒图形区的第一标识均相同,第二光罩设置有多个与第一光罩上的第一晶粒图形区一一对应的第二晶粒图形区,各个第二晶粒图形区均包括相同的身份标识区,身份标识区中设有与晶圆上各个曝光区域一一对应且互不相同的第二标识。利用第一光罩和第二光罩的先后曝光以及相应的光刻套刻对准偏差,能够为晶圆上每颗晶粒都标注上与之相配的曝光区域的身份标识或者晶粒自己的唯一身份标识,由此使得每一颗晶粒从晶圆上切割下来后仍然能被识别出其原先在晶圆的哪个曝光区域或者哪个位置坐标。

基本信息
专利标题 :
光罩组及晶圆标注方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114185244A
申请号 :
CN202210135132.X
公开(公告)日 :
2022-03-15
申请日 :
2022-02-15
授权号 :
CN114185244B
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
张弓玉帛徐圣强袁立春
申请人 :
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 :
浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
代理机构 :
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
曹廷廷
优先权 :
CN202210135132.X
主分类号 :
G03F1/38
IPC分类号 :
G03F1/38  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/38
具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
法律状态
2022-06-03 :
授权
2022-04-01 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/38
申请日 : 20220215
2022-03-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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