一种基于纳米晶颗粒的场效应晶体管存储器及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发公开了一种基于纳米晶颗粒的场效应晶体管存储器及其制作方法，将氮化硅和石墨烯结合，通过在纳米晶颗粒上形成氮化硅和石墨烯，石墨烯作为栅极，纳米晶粒存储数据+氮化硅消除双光子吸收效应和自由载流子效应的影响+石墨烯超大的光吸收带宽这种组合可以有效提高器件对入射光的收集效率，增强光电转换效率，降低接触电阻，从而达到了在低操作电压的情况下，也能有很高的器件的存储密度和读取写入速度，同时该器件也可兼容标准CMOS工艺，大大提高了其应用范围。
基本信息
专利标题 ：
一种基于纳米晶颗粒的场效应晶体管存储器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551585A
申请号 ：
CN202210432730.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程晨王彬徐凯张永生吴李瑞
申请人 ：
江苏游隼微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区麒麟科技创新园启迪大街188号二楼启迪之星南京众创空间G41
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴旭
优先权 ：
CN202210432730.3
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/49 H01L29/51 H01L29/792 H01L21/336 H01L21/28 B82Y30/00
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20220424
申请日 : 20220424
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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