一种新型半导体深紫外光源结构
公开
摘要
本发明涉及一种新型半导体深紫外光源结构，沿着材料的生长方向，从底部到顶部包括：衬底、第二层、有源层、基于氮化铝镓的电子阻挡层、基于隧穿效应的p型载子注入结构及n型氮化铝镓结构，第二层包括n型的氮化铝镓层和反射层，n型的氮化铝镓层含有的铝组分大于等于10%，反射层的反光波段峰值在220纳米到360纳米之间，反射层的在反光波段的反光率在50%以上，有源层包括氮化镓、氮化铝镓及氮化铝外延材料组成的量子阱、量子点和量子盘结构，有源层的发光波段位于255纳米到340纳米之间，基于氮化铝镓的电子阻挡层的掺杂元素为镁元素，n型氮化铝镓结构厚度大于等于50纳米，本发明具有大幅度提高深紫外LED的出光效率的技术效果。
基本信息
专利标题 ：
一种新型半导体深紫外光源结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583026A
申请号 ：
CN202210480159.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廖翊韬
申请人 ：
徐州立羽高科技有限责任公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市高新技术产业开发区珠江东路11号徐州高新区办公大楼1220房间
代理机构 ：
重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘泽正
优先权 ：
CN202210480159.2
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/14
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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