半导体器件及其制造法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本发明半导体器件之所以在高温环境中或高温高湿环境中显示出极好的电气性能，是因为以反应层厚度大于等于0.2(微米)的方式，将铝焊线的端部连接于铜或铜合金引线电极。本发明提供的半导体器件制造方法，由于采用了将铝焊线连接于铜或铜合金引线框架的键合区，进行热处理，而使得铜或铜合金与铝的反应层厚度大于等于0.2(微米)的步骤，因而能够容易地制作，可在高温环境中或高温高湿环境中显示极好电气性能的高可靠半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85107077A
申请号 ：
CN85107077.9
公开（公告）日 ：
1986-10-01
申请日 ：
1985-09-24
授权号 ：
CN85107077B
授权日 ：
1988-01-27
发明人 ：
马场博之松崎隆
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市幸区堀川镇72番地
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
杜日新
优先权 ：
CN85107077.9
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L25/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2001-05-16 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1988-10-05 ：
授权
1986-11-05 ：
实质审查请求
1986-10-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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