III-V族化合物半导体元件之电极形成方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本发明是关于在GaAs或GaAlAs等化合物半导体底板上所形成之以金为主体的含金膜，能在不损及该底板之情形下，藉光刻法易于将其加工成所希望之图形的电极形成方法。若依照本发明之方法，则在III-V族化合物半导体底板之电极形成面上预先形成钛膜后，再形成一层以金为主体之合金层，然后，将该合金层腐蚀成预定之图形，并设定能作电阻接触之电极，然后将底板上除此电极部分以外之钛膜除去。
基本信息
专利标题 ：
III-V族化合物半导体元件之电极形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86108717A
申请号 ：
CN86108717.8
公开（公告）日 ：
1987-07-22
申请日 ：
1986-12-22
授权号 ：
CN1007677B
授权日 ：
1990-04-18
发明人 ：
辻井胜己原田昌道
申请人 ：
夏普公司
申请人地址 ：
日本大阪府大阪市
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
杨松坚
优先权 ：
CN86108717.8
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2007-08-08 ：
专利权的终止专利权有效期届满
2002-03-20 ：
其他有关事项
1991-01-02 ：
授权
1990-04-18 ：
审定
1989-04-26 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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