半导体器件的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
制造具有NPN双极晶体管的半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成N型收集极层；再在其上的一个区域内形成P型防漏电层；在所述衬底的表面区域内形成氧化物隔离层使其与防止漏电层相接触；在N型收集极层的表面侧形成P型基极层、使其至少有一侧面部分与氧化物隔离层及防止漏电层相接触；在P型基极层的表面侧形成N型发射极层；以及在所述P型基极层上未与N型发射极层接触的区域内形成P型基极接触层。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1171623A
申请号 ：
CN97101048.X
公开（公告）日 ：
1998-01-28
申请日 ：
1994-03-26
授权号 ：
CN1095595C
授权日 ：
2002-12-04
发明人 ：
平井健裕田中光男堀敦下村浩堀川良彦
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN97101048.X
主分类号 ：
H01L21/331
IPC分类号 ：
H01L21/331 H01L21/76 H01L21/8222
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2007-05-23 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-12-04 ：
授权
1998-01-28 ：
公开
1998-01-07 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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