半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及半导体器件的制法，它包括，在绝缘表面上形成岛形的含硅半导体膜；在该膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成一对栅电极，使半导体膜分别确定一对沟道区、第一杂质区和一对第二杂质区域。所述一对沟道区中的每一个沟道区均介于第一杂质区与一个相邻于一对第二杂质区中的一个区之间；将能促进结晶的催化剂附着在一对第二杂质区上；加热半导体膜至其结晶。晶体生长是从一对第二杂质区通过一对第一杂质区向沟道区生长。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1256510A
申请号 ：
CN99118538.2
公开（公告）日 ：
2000-06-14
申请日 ：
1994-02-15
授权号 ：
CN1129961C
授权日 ：
2003-12-03
发明人 ：
山崎舜平张宏勇竹村保彦
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨丽琴
优先权 ：
CN99118538.2
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/786
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2014-03-19 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101580931367
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL991185382
申请日 : 19940215
授权公告日 : 20031203
期满终止日期 : 20140215
号牌文件序号 : 101580931367
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL991185382
申请日 : 19940215
授权公告日 : 20031203
期满终止日期 : 20140215
2003-12-03 ：
授权
2000-06-14 ：
公开
2000-05-17 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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