具有环形硅退耦电容器的集成电路芯片封装及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供一种半导体封装及其制造方法，其特征在于减小同时开关噪声的环形硅退耦电容器。该退耦电容器利用晶片制造工艺由硅制造在基板上且采用环形电容结构的形式，该环形电容结构围绕基板上安装的集成电路(IC)的周边延伸。该退耦电容器具有芯片级或低于芯片级的减小的厚度且代替传统电源/接地环。因此，该退耦电容器能够设置在封装内而不增加该封装的厚度和尺寸。该退耦电容器可连接到各种电源引脚，允许优化的导线键合、缩短的电连接、及减小的电感。连接到退耦电容器的键合导线具有较高的电阻率，降低了共振频率的峰且因此减小了同时开关噪声。
基本信息
专利标题 ：
具有环形硅退耦电容器的集成电路芯片封装及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773699A
申请号 ：
CN200510120300.4
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋垠锡李稀裼
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510120300.4
主分类号 ：
H01L23/50
IPC分类号 ：
H01L23/50 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/50
用于集成电路器件的
法律状态
2009-10-07 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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