使用了两层型防反射膜的光致抗蚀剂图形的形成方法
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摘要
本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工序中、使用能用光致抗蚀剂用显影液进行显影的防反射膜、形成光致抗蚀剂和防反射膜都为矩形形状的图形的方法。本发明通过提供下述光致抗蚀剂图形的形成方法解决了上述课题，即，一种光致抗蚀剂图形的形成方法，其包括形成可溶于光致抗蚀剂用显影液的第1防反射膜的工序；在上述第1防反射膜上形成可溶于光致抗蚀剂用显影液并且对光致抗蚀剂用显影液的溶解速度比上述第1防反射膜小的第2防反射膜的工序；在上述第2防反射膜上形成光致抗蚀剂的工序；对由上述第1防反射膜、上述第2防反射膜和上述光致抗蚀剂被覆的半导体基板进行曝光的工序；和利用光致抗蚀剂用显影液进行显影的工序。
基本信息
专利标题 ：
使用了两层型防反射膜的光致抗蚀剂图形的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101065708A
申请号 ：
CN200580040348.2
公开（公告）日 ：
2007-10-31
申请日 ：
2005-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
畑中真
申请人 ：
日产化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
段承恩
优先权 ：
CN200580040348.2
主分类号 ：
G03F7/11
IPC分类号 ：
G03F7/11 H01L21/027 C08G59/40
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/09
以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层
G03F7/11
具有覆盖层或中间层的，例如，胶层
法律状态
2013-01-02 ：
授权
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2007-10-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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