晶体生长过程中的液态硅的电磁抽吸
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种与根据直拉法工艺生长单晶体晶锭的晶体生长装置一起使用的方法和系统。晶体生长装置具有容纳半导体熔体的被加热的坩埚，从该熔体拉制晶锭。晶锭在从熔体拉制的籽晶上生长。在晶锭拉制期间在熔体上施加时变的外部磁场。该磁场被选择性地调节以在熔体内生成抽吸力，以便在从熔体拉制晶锭的同时控制熔体流动速度。
基本信息
专利标题 ：
晶体生长过程中的液态硅的电磁抽吸
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133192A
申请号 ：
CN200580048843.8
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·W·科布
申请人 ：
MEMC电子材料有限公司
申请人地址 ：
美国密苏里州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
马江立
优先权 ：
CN200580048843.8
主分类号 ：
C30B15/30
IPC分类号 ：
C30B15/30 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2016-01-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101643312813
IPC(主分类) : C30B 15/30
专利号 : ZL2005800488438
申请日 : 20051129
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20141129
号牌文件序号 : 101643312813
IPC(主分类) : C30B 15/30
专利号 : ZL2005800488438
申请日 : 20051129
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20141129
2010-05-12 ：
授权
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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