半导体元件及其制造方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括基底、隔离结构、外层结构以及栅极结构。隔离结构配置于基底上。外层结构环绕隔离结构的侧壁。栅极结构环绕外层结构的中间部分，使得被栅极结构所覆盖的中间部分成为通道区，而中间部分的两侧处的外层结构则分别成为源极区与漏极区。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109473398A
申请号 ：
CN201710800066.2
公开（公告）日 ：
2019-03-15
申请日 ：
2017-09-07
授权号 ：
CN109473398B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
陈冠宏李荣原陆俊岑
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201710800066.2
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L21/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2019-09-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20170907
申请日 : 20170907
2019-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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