使用低温过程的高温半导体器件封装和结构的方法及装置
授权
摘要
一种使用低温过程的高温半导体器件封装和结构的方法及装置。提供了包含陶瓷、有机和金属材料的组合的半导体器件封装，其中这些材料通过使用银而耦合。在压力和低温下，银以细颗粒的形式被应用。应用之后，银形成了具有银的典型熔点的固体，因此，成品封装能承受比制造温度显著高的温度。此外，因为银是各种组合材料之间的接口材料，由于接合的低温度和银的延展性，陶瓷、有机和金属组件之间的不同材料特性的效果例如热膨胀系数被降低。
基本信息
专利标题 ：
使用低温过程的高温半导体器件封装和结构的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108807194A
申请号 ：
CN201810722489.1
公开（公告）日 ：
2018-11-13
申请日 ：
2014-10-31
授权号 ：
CN108807194B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
拉克希米纳拉扬.维斯瓦纳坦
申请人 ：
恩智浦美国有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
潘军
优先权 ：
CN201810722489.1
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/60 H01L23/057 H01L23/14 H01L23/31 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2018-12-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20141031
申请日 : 20141031
2018-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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