一种埋入式芯片及其制备方法
授权
摘要
本发明提供一种埋入式芯片及其制备方法，该埋入式芯片包括电路板，其上设置有电镀金属；芯片本体，位于所述电路板内部，所述芯片本体具有多个引脚焊盘，所述多个引脚焊盘由所述电镀金属引出构成多个芯片引脚；以及导电插件，与所述多个芯片引脚之间可拆卸插接。通过为埋入式芯片提供与其芯片引脚可拆卸插接的导电插件，在埋入式芯片的放置、移动等过程中，通过导电插件将其芯片引脚相互导通，进而提高了芯片的抗静电能力，实现对芯片的静电保护，在需要使用埋入式芯片时将导电插件拆卸掉即可。
基本信息
专利标题 ：
一种埋入式芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111354702A
申请号 ：
CN201811571223.8
公开（公告）日 ：
2020-06-30
申请日 ：
2018-12-21
授权号 ：
CN111354702B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
黄立湘缪桦
申请人 ：
深南电路股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区侨城东路99号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
钟子敏
优先权 ：
CN201811571223.8
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/49 H01L23/60 H01L21/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-07-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/488
申请日 : 20181221
申请日 : 20181221
2020-06-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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