一种埋入式芯片及其制备方法
授权
摘要
本发明提供一种埋入式芯片及其制备方法，该埋入式芯片的制备方法在对电路板进行图案化处理和金属电镀时，形成围绕电路板内部的芯片本体的导电闭环结构，令芯片本体的引脚焊盘通过导电闭环结构相互导通，进而在后续形成芯片引脚时，可通过导电闭环结构对切割芯片产生的静电电流进行分散，实现对芯片的静电保护。
基本信息
专利标题 ：
一种埋入式芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111354645A
申请号 ：
CN201811571261.3
公开（公告）日 ：
2020-06-30
申请日 ：
2018-12-21
授权号 ：
CN111354645B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
黄立湘缪桦
申请人 ：
深南电路股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区侨城东路99号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
钟子敏
优先权 ：
CN201811571261.3
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/60 H01L23/49
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-07-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20181221
申请日 : 20181221
2020-06-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111354645A.PDF
PDF下载
