本发明实施例涉及用于形成光掩模的方法及半导体制造方法。根据本发明的一些实施例，一种用于形成光掩模的方法包括：接纳衬底，所述衬底具有形成于其上的第一层，其中在所述衬底上方放置暴露所述第一层的部分的经图案化第二层；透过所述经图案化第二层而移除所述第一层的所述经暴露部分以在所述第一层中形成多个开口；移除所述经图案化第二层；及利用蚀刻剂执行湿式蚀刻以移除所述第一层的部分以使所述多个开口变宽。所述蚀刻剂与所述第一层的顶部表面及所述多个开口的侧壁接触。所述多个开口中的每一者在所述湿式蚀刻的所述执行之前具有第一宽度且在所述湿式蚀刻的所述执行之后具有第二宽度。所述第二宽度大于所述第一宽度。