一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法
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摘要
一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其包括：（1）在一临时衬底的一面侧获得单元化的阵列式半导体发光元件，每一半导体发光元件包括一释放层，释放层具有水平的延伸部分位于每一半导体发光元件至少一侧并覆盖在临时衬底上；（2）制作支撑结构在每一半导体发光元件至少一侧，支撑结构的底部或侧壁与释放层水平的延伸部分接触式连接；（3）粘接一支撑基板在支撑结构的上方；（4）移除临时衬底，使释放层的水平延伸部分以及多个半导体发光元件的表面从同一侧被暴露，获得适于转移的支撑的半导体发光元件阵列。
基本信息
专利标题 ：
一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112133795A
申请号 ：
CN201910551455.5
公开（公告）日 ：
2020-12-25
申请日 ：
2019-06-24
授权号 ：
CN112133795B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
蒙成蔡景元吴俊毅
申请人 ：
天津三安光电有限公司
申请人地址 ：
天津市西青区华苑产业区海泰南道20号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201910551455.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L21/78 H01L27/15
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-01-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20190624
申请日 : 20190624
2020-12-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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