一种芯片压接结构及半导体封装结构
授权
摘要
本实用新型通过提供一种芯片压接结构及半导体封装结构，该压接结构包括汇流底板，具有至少一个导向通孔；至少一个顶压导杆，分别与所述导向通孔一一对应设置，通过导电压簧与所述汇流底板导电连接，在外部压力和所述导电压簧的弹力的压力差作用下，具有穿入所述导向通孔的第一状态和复位的第二状态；所述导电压簧连接端面为平面。本实用新型提供了一种芯片压接结构及半导体封装结构，通过设置导电压簧，补偿了芯片厚度不一致及结构加工引起的尺寸误差，使各芯片压力基本一致，提高了封装可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片压接结构及半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920738658.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-21
授权号 ：
CN210040140U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
张雷杜玉杰李翠刘颖含李金元
申请人 ：
全球能源互联网研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁岩
优先权 ：
CN201920738658.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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