一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置，包括：旋转基座；第一喷嘴，所述第一喷嘴设置在所述旋转基座上；多个第二喷嘴，所述多个第二喷嘴设置在所述旋转基座的边缘处，围绕所述旋转基座中心成同心圆对称分布；晶圆支撑座，所述晶圆支撑座位于所述旋转基座上方，用于承载和/或夹持晶圆进行清洗；杯状集液与排液区，所述杯状集液与排液区构成清洗腔室的侧壁，用于防止化学品溅出，并收集排除采用化学品；进液装置，所述进液装置与所述第一喷嘴、第二喷嘴相连，用于向所述第一喷嘴、第二喷嘴提供清洗液体；以及排液装置，所述排液装置与所述杯状集液与排液区相连，用于排除残余的化学品。
基本信息
专利标题 ：
一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921081322.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-11
授权号 ：
CN210040143U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
颜超仁陈章晏郑涛丁洋
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张东梅
优先权 ：
CN201921081322.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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