一种原位观测晶体生长方法及观测装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种原位观测晶体生长方法,将装有溶液的密封容器置于真空,发射高能电子束击破容器,溶液在真空中蒸发,开始结晶,高能电子束不断轰击晶体表面激发不同的电子信号,通过激发的电子信号实时观察晶体的生长过程。本发明用于实时原位观测晶体的生长过程,对设备要求低,操作简单,获得更好的观测结果。此外,本发明还公开了一种原位观测晶体生长的观测装置,打破扫描电子显微镜只能对固体样品进行非原位观测的限制,可用于观测液体样品结晶时表面的结构。
基本信息
专利标题 :
一种原位观测晶体生长方法及观测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114280092A
申请号 :
CN202011040365.9
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2020-09-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张梦龙王琨强柯茜罗东向
申请人 :
华南师范大学
申请人地址 :
广东省广州市中山大道西55号
代理机构 :
广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
郑永泉
优先权 :
CN202011040365.9
主分类号 :
G01N23/2251
IPC分类号 :
G01N23/2251 G01N23/2202
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/22
通过测量材料的二次发射
G01N23/225
利用电子或离子微探针
G01N23/2251
使用入射电子束,例如扫描电子显微镜
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/2251
申请日 : 20200928
申请日 : 20200928
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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