一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中晶圆间接诱导加热方式加热速度慢、加热深度不可控的问题。上述晶圆的直接诱导加热装置，包括交变磁束发生组件，利用交变磁束发生组件的交流电产生交变磁束，晶圆置于交变磁束发生组件产生的交变磁束内，置于交变磁束内的晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。上述晶圆的直接诱导加热方法，包括如下步骤：利用交流电产生交变磁束，将晶圆置于交变磁束内，晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。本发明的晶圆的直接诱导加热装置和加热方法可用于晶圆的直接诱导加热。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114521035A
申请号 ：
CN202011293519.5
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑宇现周娜李琳王佳李俊杰
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
程虹
优先权 ：
CN202011293519.5
主分类号 ：
H05B6/10
IPC分类号 ：
H05B6/10 H05B6/36 H05B1/02 H05B3/00 G03F7/20
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05B 6/10
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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