检测结构及其形成方法、检测方法

实质审查的生效

摘要

一种检测结构及其形成方法、检测方法，包括：衬底，衬底包括测试区，测试区包括若干第一有源区；位于若干第一有源区上的第一栅极结构和第二栅极结构；位于第一有源区内的第一源漏掺杂层、第二源漏掺杂层和第三源漏掺杂层；位于第一源漏掺杂层上的第一导电结构；位于第三源漏掺杂层上的第三导电结构。通过在第一导电结构和第一栅极结构上加第一电压；在第三导电结构和衬底上加第二电压，第二电压小于第一电压。在第一栅极结构和第二栅极结构发生短接时，第一栅极结构上加的第一电压也会等效加于第二栅极结构上，第一源漏掺杂层和第三源漏掺杂层之间连通，此时会在第三导电结构上检测到电流，进而判断出第一栅极结构和第二栅极结构存在短接的问题。

基本信息

专利标题：

检测结构及其形成方法、检测方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114551403A

申请号：

CN202011330890.4

公开（公告）日：

2022-05-27

申请日：

2020-11-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

许谢慧娜

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐文欣

优先权：

CN202011330890.4

主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L23/544 H01L21/66 H01L29/78

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/544

加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案

法律状态

2022-06-14 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20201124

2022-05-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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