一种氟基SiC-CVD晶体与薄膜生长制程尾气FTrPSA...
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摘要
本发明公开了一种氟基SiC‑CVD晶体与薄膜生长制程尾气FTrPSA全组分回收再利用方法，涉及第三代半导体材料碳化硅(SiC)晶体及薄膜外延生长过程中的尾气中有效组分的回收以及返回到半导体制程循环使用的环保领域，采取氯硅烷喷淋吸收、C2+浅冷油吸收、氯硅烷中浅冷精馏与中温变压吸附浓缩之间的耦合与循环操作来分离和提纯所需的主要有效组分C2+、SiF4、HF、HCl、氯硅烷，甚至H2，或返回到SiC‑CVD制程循环使用，或返回至本发明系统中循环使用，由此实现制程尾气资源的循环再利用，解决了尾气中C2+与SiF4/HF/HCl难以分离的困难。
基本信息
专利标题 ：
一种氟基SiC-CVD晶体与薄膜生长制程尾气FTrPSA全组分回收再利用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112777569A
申请号 ：
CN202011489037.7
公开（公告）日 ：
2021-05-11
申请日 ：
2020-12-16
授权号 ：
CN112777569B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
钟雨明钟娅玲汪兰海陈运唐金财蔡跃明蒋强
申请人 ：
四川天采科技有限责任公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区府城大道西段399号天府新谷5号楼14楼
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
轩勇丽
优先权 ：
CN202011489037.7
主分类号 ：
C01B7/19
IPC分类号 ：
C01B7/19 C01B33/107 C01B7/07 C07C7/04 C07C11/04 C07C9/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B7/00
卤素；氢卤酸
C01B7/19
氟；氟化氢
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-05-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 7/19
申请日 : 20201216
申请日 : 20201216
2021-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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