功率MOSFET半桥模块以及封装结构
授权
摘要
本实用新型提供一种功率MOSFET半桥模块以及封装结构，所述功率MOSFET半桥模块包括：第一MOS管、电阻、双向稳压二极管及第二MOS管；所述第二MOS管的源极连接于所述第一MOS管的源极以及所述电阻的第一端，所述第二MOS管的漏极连接于所述第一MOS管的漏极以及所述双向稳压二极管的第一端，所述第二MOS管的栅极连接于所述双向稳压二极管的第二端以及所述电阻的第二端；其中，所述第二MOS管为SiC‑MOS管。本实用新型通过集成MOS关断电压过冲吸收电路，不需要电容，体积更小，成本更低，适合集成一体化。
基本信息
专利标题 ：
功率MOSFET半桥模块以及封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020337033.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-17
授权号 ：
CN211508926U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
杨小川李彦莹路笑
申请人 ：
华润微电子（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
施婷婷
优先权 ：
CN202020337033.6
主分类号 ：
H02M7/00
IPC分类号 ：
H02M7/00 H02M1/32 H02M7/5387 H01L25/16
相关图片
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211508926U.PDF
PDF下载
