一种半导体材料氧化处理设备

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种半导体材料氧化处理设备，包括工作台，所述工作台的下表面靠近两侧位置均固定安装有支撑脚，且工作台的下表面靠近中间位置连接有收纳箱，所述工作台的上表面靠近中间位置固定安装有氧化处理箱，所述氧化处理箱的顶部连接有吹风装置，所述工作台的上表面支撑有放置台，所述放置台的下表面固定安装有滑块，所述工作台的上表面开设有与滑块相匹配的滑槽，且工作台的上表面靠近放置台的外侧位置固定安装有齿条，所述放置台的外表面连接有电动机，所述电动机的输出端连接有齿轮。本实用新型所述的一种半导体材料氧化处理设备，能够均匀的向半导体材料表面吹送热风，且能够对半导体材料进行压紧。

基本信息

专利标题：

一种半导体材料氧化处理设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021035961.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-08

授权号：

CN212084962U

授权日：

2020-12-04

发明人：

刘文章

申请人：

任森江

申请人地址：

福建省泉州市惠安县辋川镇后任村后任459号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202021035961.3

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-06-07 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20200608
授权公告日 : 20201204
终止日期 : 20210608

2020-12-04 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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